王 高 周漢昌
摘 要:隨著超大規(guī)模集成技術(shù)的發(fā)展,CMOS圖像傳感器顯示出強(qiáng)勁的發(fā)展趨勢(shì)。CMOS 圖像傳感器可在單芯片內(nèi)集成時(shí)序和控制電路、A/D轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理等功能。本文簡單介紹了CMOS圖像傳感器的背景,分析了CMOS 圖像傳感器和 CCD 圖像傳感器的優(yōu)缺點(diǎn),綜述了目前CMOS圖像傳感器的研究進(jìn)展。
關(guān)鍵詞:CMOS圖像傳感器; 動(dòng)態(tài)范圍; 靈敏度
中圖分類號(hào):TP212.14 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A
一、前言
自 60 年代末期美國貝爾實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出固態(tài)成像器件和一維CCD 模型器件以來,CCD 在圖像傳感、信號(hào)處理、數(shù)字存儲(chǔ)等方面發(fā)展迅速。隨著CCD器件的廣泛應(yīng)用,其缺點(diǎn)逐漸顯露出來。為此,人們又開發(fā)了另外幾種固態(tài)圖像傳感器,其中最有發(fā)展?jié)摿Φ氖遣捎脴?biāo)準(zhǔn)CMOS制造工藝制造的CMOS圖像傳感器。
實(shí)際上早在70 年代初,國外就已經(jīng)開發(fā)出CMOS 圖像傳感器,但成像質(zhì)量不如CCD,因而一直無法與之相抗衡。90 年代初期,隨著超大規(guī)模集成技術(shù)的飛速發(fā)展,CMOS 圖像傳感器可在單芯片內(nèi)集成A/D轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理、自動(dòng)增益控制、精密放大和存儲(chǔ)等功能,大大減小了系統(tǒng)復(fù)雜性,降低了成本,因而顯示出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。此外, 它還具有低功耗、單電源、低工作電壓(3V~5 V)、成品率高,可對(duì)局部像元隨機(jī)訪問等突出優(yōu)點(diǎn)。因此,CMOS圖像傳感器重新成為研究、開發(fā)的熱點(diǎn),發(fā)展極其迅猛,目前已占據(jù)低、中分辨領(lǐng)域?,F(xiàn)在,CMOS圖像傳感器的一些參數(shù)性能指標(biāo)已達(dá)到或超過 CCD 。二、CCD 與 CMOS 的比較
1、成像過程
CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料,因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同,但是讀取過程不同:CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移,整個(gè)電路非常復(fù)雜,讀出速率慢;CMOS 則以類似 DRAM 的方式讀出信號(hào),電路簡單,讀出速率高。
2、集成度
采用特殊技術(shù)的CCD讀出電路比較復(fù)雜,很難將A/D轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理、自動(dòng)增益控制、精密放大和存儲(chǔ)功能集成到一塊芯片上,一般需要 3~8 個(gè)芯片組合實(shí)現(xiàn),同時(shí)還需要一個(gè)多通道非標(biāo)準(zhǔn)供電電壓。借助于大規(guī)模集成制造工藝,CMOS 圖像傳感器能非常容易地把上述功能集成到單一芯片上,多數(shù)CMOS圖像傳感器同時(shí)具有模擬和數(shù)字輸出信號(hào)。
3、電源、功耗和體積
CCD 需多種電源供電,功耗較大,體積也比較大。CMOS 只需一個(gè)單電源(3V~5 V)供電,其功耗相當(dāng)于 CCD 的 1/10,高度集成CMOS 芯片可以做的相當(dāng)小。
4、性能指標(biāo)
CCD 技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟,而 CMOS 正處于蓬勃發(fā)展時(shí)期,雖然目前高端 CMOS圖像質(zhì)量暫時(shí)不如CCD,但有些指標(biāo)(如傳輸速率等方面)已超過CCD。由于CMOS具有諸多優(yōu)點(diǎn),國內(nèi)外許多機(jī)構(gòu)已經(jīng)應(yīng)用CMOS圖像傳感器開發(fā)出眾多產(chǎn)品。本文主要介紹已商品化的CMOS 圖像傳感器的發(fā)展現(xiàn)狀以及最新發(fā)展動(dòng)態(tài),希望對(duì)下游產(chǎn)品的開發(fā)有所幫助。
三、CMOS的商業(yè)化產(chǎn)品
CMOS圖像傳感器的迅速發(fā)展并商業(yè)化得益于成熟的CMOS工藝,目前國外諸多公司和科研機(jī)構(gòu)已經(jīng)開發(fā)出不同光學(xué)格式、多種類型的CMOS圖像傳感器,并將其應(yīng)用于光譜學(xué)、X射線檢測(cè)、天文學(xué)(觀測(cè)研究)、空間探測(cè)、國防、醫(yī)學(xué)、工業(yè)等不同的領(lǐng)域。
1997年成立的美國Foveon公司于2003年推出了產(chǎn)品代號(hào)分別為F7X3-C9110、 F19X3-A50的全色CMOS圖像傳感器。F7X3-C9110的有效像素為2268 × 1512,具有像素可變、超低功耗(50 mW)、低噪聲、抗模糊等特點(diǎn)。該傳感器已被用在日本Sigma SD10單反數(shù)碼相機(jī)上,該相機(jī)在低照度條件下積分時(shí)間可達(dá)30s。F19X3-A50除具有上述特點(diǎn)外,片上還具有高達(dá)40MHz的12位A/D轉(zhuǎn)換器和集成數(shù)字處理器。由于采用獨(dú)特的X3技術(shù),該CMOS圖像傳感器感光陣列可在一個(gè)像元位置同時(shí)獲得紅、綠、藍(lán)三種顏色信號(hào)。配置了這款圖像傳感器的數(shù)碼產(chǎn)品主要面向?qū)I(yè)攝影師、業(yè)余攝影愛好者等消費(fèi)群體。據(jù)報(bào)道,美國Foveon和國家半導(dǎo)體公司合作,采用0.18μm CMOS工藝首次開發(fā)成功了1600萬像素(4096×4096)CMOS圖像傳感器,這是迄今為止全球集成度最高的CMOS圖像傳感器,像元尺寸為5mm×5mm,芯片尺寸為22mm×22mm。
美國Silicon Video(SVI)公司主要面向高清晰度數(shù)字電視、高清晰度數(shù)字電影及廣播等領(lǐng)域,該公司于2003年6月收購Photon Vision Systems (PVS) 公司后,使用PVS獨(dú)特的有源列傳感專利技術(shù)(ACS)已制造出LIS-1024、ELIS-1024及SLIS-2048線陣CMOS圖像傳感器和具有低暗電流、高靈敏度和掃描速度的3840× 2192像素面陣單片CMOS成像系統(tǒng)。有源列傳感專利技術(shù)(ACS)可降低放大器固定圖案噪聲,增加填充系數(shù),提高靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍及提高掃描速度。SLIS-2048線陣CMOS圖像傳感器靈敏度為5μV/e,掃描頻率為60MHz, 填充系數(shù)>99%,動(dòng)態(tài)范圍為63 dB。目前該公司正在開發(fā)用于便攜設(shè)備的超低功耗RPLIS-2048線陣CMOS圖像傳感器。
美國Micro公司推出像素分別為252×288、640×480、382×288和1280×1024的面陣光敏二極管圖像傳感器,其中像素為1280×1024的MT9M413的讀出速率達(dá)660MB/s,可用于高級(jí)機(jī)器視覺系統(tǒng)及高速成像系統(tǒng)。如果以1280×128面陣的形式傳輸數(shù)據(jù),則最高讀出速率可達(dá)4,000 fps。
瑞士STMicroelectronics(ST)能提供352×288的VV5411/VV6411和640×480的彩色VV6501、VV6502、VS6552光敏二極管CMOS圖像傳感器,其圖像質(zhì)量、噪聲和靈敏度接近或超過相應(yīng)像素的CCD, 在反光暈、體積、功耗方面優(yōu)于CCD。傳感器采用I2C總線并具有集成透鏡、10位A/D轉(zhuǎn)換器,還可外觸發(fā)。該公司還提供相應(yīng)的開發(fā)板及處理器,其低端產(chǎn)品面向玩具市場和安全監(jiān)測(cè),高端產(chǎn)品可用于數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)通信、機(jī)器視覺及生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
美國Biomorphic VLSI報(bào)道了該公司生產(chǎn)的640×480像素Bi8603和Bi8631、1280×1024像素Bi8831、1600 ×1400像素Bi8891彩色面陣CMOS圖像傳感器。由于擁有了高性能模擬混合信號(hào)處理技術(shù)、先進(jìn)的數(shù)字信號(hào)處理結(jié)構(gòu)、領(lǐng)先的邊沿圖像處理技術(shù)以及基于生物機(jī)體的信息處理結(jié)構(gòu)等技術(shù),由該公司傳感器構(gòu)成的成像系統(tǒng)在交通監(jiān)測(cè)、航線跟蹤、目標(biāo)獲取和攔截等領(lǐng)域都收到良好的應(yīng)用效果。
美國安捷倫科技(Agilent Technologies)宣布推出全新系列352×288像素ADCS-1021和640×480像素ADCS-2021 彩色CMOS圖像傳感器和352×288像素ADCS-1121和640×480像素ADCS-2121單色CMOS圖像傳感器。與以往的產(chǎn)品相比,這些小型傳感器的體積減小了25%,表面封裝的厚度降低了50%,可以為家用和工控?cái)?shù)碼相機(jī)提供結(jié)構(gòu)更加緊湊、成本更低的解決方案。彩色圖像傳感器特別適用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)和PDA使用的可拆卸相機(jī)以及數(shù)碼靜止及雙模相機(jī)。單色圖像傳感器則為生物檢測(cè)(識(shí)別如指紋的個(gè)體特征)、監(jiān)控和安全、機(jī)器視覺和條碼掃描儀提供了理想之選。批量訂購每片ADCS-1021 或ADCS-1121 不超過5美元,單購每片ADCS-2021或ADCS-2121不超過7美元。
以生產(chǎn)高性能
CCD而著稱的日本美國Kodak公司采用其自有的針孔二極管像素技術(shù)推出640×480像素的KAC-031及1280×1024像素的 KAC-1310CMOS 圖像傳感器,并為專業(yè)攝影者以及有較高要求的業(yè)余攝影者提供有4536×3024像素CMOS傳感器的DCS相機(jī)。
1997年成立的美國Peripheral Imaging (PIC)公司生產(chǎn)的1×256、1×512 和1×1024線陣光敏二極管CMOS圖像傳感器在紫外至近紅外光譜范圍都有很好的響應(yīng),可廣泛應(yīng)用在光譜學(xué)、單色儀和光譜攝制儀等方面。由線陣CMOS圖像傳感器構(gòu)成的Contract Image Sensor(CIS)接觸式傳感器已廣泛應(yīng)用到條形碼掃描、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)及掃描儀等設(shè)備上。
1997年成立的比利時(shí)Fill Factory公司已開發(fā)出1280×1024像素IBIS4-1300 、2210×3002像素IBIS46600、1280×1024像素IBIS14000、1280×1024像素IBIS5-1300、1280×1024像素FUGA1000、1280×1024像素LUPA1300、2048×2048像素LUPA4000、512×512 像素STAR250、1024×1024像素STAR1000單色CMOS圖像傳感器。由于采用n阱像素結(jié)構(gòu)(美國專利6,225,670),極大地提高了傳感器的靈敏度,同時(shí)使用的一種稱為雙斜線行轉(zhuǎn)移模式的技術(shù)可使傳感器動(dòng)態(tài)范圍達(dá)到76dB,其中LUPA1300傳輸速率達(dá)450f/s, 可用于高速成像領(lǐng)域。 加拿大DALSA擁有獨(dú)特的CMOS 芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)技術(shù),其產(chǎn)品遍布世界各地,是世界上最完備的圖像產(chǎn)品供應(yīng)商之一。加拿大DALSA 公司推出 1024×1024像素DS-1x-01M28、1024×1024像素DS-21-001M0150、1024×1024像素DS-2x-01M75、640×480像素IA-G1-VGA 面陣CMOS 圖像傳感器。其采用LINLOG技術(shù)可使傳感器動(dòng)態(tài)范圍高達(dá)120dB,通過調(diào)整分辨率楨頻可達(dá)100,000 f/s,IA-G1-VGA的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)800MB/s,可用于生命科學(xué)研究、數(shù)碼相機(jī),而且特別適宜用在諸如焊接、切割監(jiān)測(cè)、機(jī)器人技術(shù)及交通管理等光線強(qiáng)度變化大的場合。
美國Omnivision公司開發(fā)的 CMOS 圖像傳感器系列產(chǎn)品有1600×1200像素的OV2000、OV5000、OV6000、OV7000,800×600像素OV8000,1280×1024像素OV9000等多種系列黑白或彩色圖像傳感器。其產(chǎn)品既有模擬輸出又有數(shù)字輸出,OV7000系列及OV8000部分產(chǎn)品數(shù)字輸出可達(dá)16bit,OV2610像素達(dá)到1600×1200。
體積小、重量輕、功耗低的CMOS 圖像傳感器在航空航天領(lǐng)域更是獨(dú)樹一幟,多年來致力于航空航天事業(yè)的美國JPL將CMOS 圖像傳感器用于測(cè)量氣體泄露的光譜儀上,效果顯著。
90年起就開始研究CMOS 圖像傳感器的Canon公司成功開發(fā)出325萬像素(2226×1460)CMOS圖像傳感器。這款圖像傳感器像素顆粒尺寸為10.5μm×10.5μm,芯片尺寸為15.1mm×22.7mm。Canon公司用該器件成功組裝了EOS-D30型CMOS單反數(shù)碼相機(jī)。
美國Motorola 已推出針孔光敏管式1280×1024像素MCM20027和668×488像素MCM20114等集成了時(shí)序電路、控制電路、A/D轉(zhuǎn)換等功能的單片CMOS 圖像傳感器,該傳感器具有I2C接口,光敏單元前有增大靈敏度的透鏡陣列。
日本富士通(Fujitsu)公司推出CMOS圖像傳感器為MB86S02和MB86S03,它內(nèi)置了該公司專利kTC消噪電路,可降低反饋噪聲,提高光線敏感度,從而使用戶可在低強(qiáng)度光源下拍照。
韓國現(xiàn)代也已推出648×488像素的HV7131E1、362×298像素的HYCA2、652x488像素的HYCA3、414×314像素的HB7121B、800×600像素的HV7141D等多種格式CMOS圖像傳感器。
國內(nèi)眾多科研院所及公司都開展了CMOS圖像傳感器的研制和應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā)工作,并取得了一定的成績。西安交通大學(xué)開元微電子科技有限公司已研制成功了369×287、768×574、640×480、512×512像素CMOS圖像傳感器,并且用該器件開發(fā)出了M-N型系列CMOS微型攝像機(jī)和可視電話。北京中星科技有限公司在推出30萬像素CMOS數(shù)碼相機(jī)的基礎(chǔ)上,2001年3月開發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)及國際一流水準(zhǔn)的百萬級(jí)CMOS數(shù)碼圖像處理芯片“星光一號(hào)”。2001年5月該芯片實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化并投入國際市場,并為三星、飛利浦和富士通等國際知名品牌視頻攝像頭所采用。2002年5月22日中星科技有限公司的微型數(shù)碼相機(jī)用單芯片CMOS圖像處理芯片被列為北京市重大高新技術(shù)成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目。2002年9月5日該公司又研制成功了我國第一枚具有世界領(lǐng)先水平的發(fā)聲圖像處理芯片“星光二號(hào)”,該芯片首次將音頻和視頻固化一體并同步工作。 近年來,中國臺(tái)灣的許多公司發(fā)展較快,并已在國際市場占有一席之地。成立于1997年的臺(tái)灣宜霖科技(ElecVision Inc.)采用其非同步隨機(jī)訪問CMOS成像技術(shù)(Asynchronous Random-Access MOS Image Sensor)推出176×144像素 EVS25K、352×288像素EVS100K、352×290像素EVS100K 511×492像素EVS250K黑白和彩色圖像傳感器及644×484像素EVS330K黑白和彩色圖像有源像素CMOS圖像傳感器。近期還將推出1280×1024像素EVS1300KCMOS圖像傳感器。臺(tái)灣聯(lián)華電子公司以0.35μm工藝生產(chǎn)1664×1286像素、0.25μm生產(chǎn)1728×1296像素應(yīng)用于高端數(shù)碼相機(jī)的CMOS圖像傳感器。臺(tái)灣泰視科技的CMOS圖像傳感器包括:CIF、VGA、百萬像素產(chǎn)品,可用在多種領(lǐng)域,如:電腦相機(jī)、移動(dòng)電話、PDA、玩具產(chǎn)品、監(jiān)視器、影像電話等
總的來說CMOS 圖像傳感器主要朝著高分辨率(4096×4096)、高動(dòng)態(tài)范圍(120dB)、高靈敏度、超微型化、低功耗、數(shù)字化、多功能化、高度集成化的方向發(fā)展。國內(nèi)廠家產(chǎn)品的技術(shù)水平與國外發(fā)達(dá)國家相比差距較大,因此加大大規(guī)模集成電路工藝的研發(fā)力度,優(yōu)化CMOS圖像傳感器的電路設(shè)計(jì),縮短與發(fā)達(dá)國家的差距刻不容緩。
四、結(jié)論
世界上只有為數(shù)不多的幾家公司擁有成熟的CCD技術(shù),而CMOS圖像傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝,因此幾乎所有擁有這種制造工藝的廠商都可以生產(chǎn)CMOS圖像傳感器, 從而競爭將使價(jià)格下降。象美國Kodak,加拿大DALSA這樣的公司,同時(shí)具有生產(chǎn)CCD和CMOS圖像傳感器的技術(shù),才能在日益激烈的競爭中占有穩(wěn)定的市場份額。總之,CCD 將以其高質(zhì)量的圖像仍在工業(yè)、科學(xué)研究及醫(yī)學(xué)領(lǐng)域占領(lǐng)主要市場,而CMOS則以其高集成度、低功耗、體積小、成本低、對(duì)紫外到近紅外光有很好的響應(yīng)、高達(dá)100%的填充系數(shù)、非破壞性讀出、高動(dòng)態(tài)范圍、自掃描、單片相機(jī)系統(tǒng)、隨機(jī)訪問、有的甚至對(duì)X射線也有較好的響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)完全占領(lǐng)PC終端、玩具、傳真機(jī)、安檢等應(yīng)用領(lǐng)域并將在諸如航天這一對(duì)功耗、體積、質(zhì)量、抗輻射尤為關(guān)注的領(lǐng)域占一席之地。
參考文獻(xiàn):
[1] http://www.foveon.com[EB/OL]
[2] http://www.siliconvideo.biz/index.htm [EB/OL]
[3] http://www.micron.com/products/imaging[EB/OL]
[4] http://www.p-imaging.com[EB/OL]
[5] http://www.us.st.com[EB/OL]
[6]http://www.biomorphic.com /Biomorphic VLSI Inc.htm[EB/OL]
[7] http://www.agilent.com/view/imaging [EB/OL]
[8] http://www.kodak.com /KODAK KAC Series CMOS Image Sensors.htm[EB/OL]
[9] http://www.elecvision.com [EB/OL]
[10] http://vfm.dalsa.com[EB/OL]
[11] http://www.ovt.com [EB/OL]
[12] http://www.motorola.com [EB/OL]
[13] http://www.tascorp.com.tw[EB/OL]
[14] http://www.hynix.com[EB/OL]
[15] http://www.nasa.jpl.com[EB/OL]
[16] 王高等.CMOS圖像傳感器發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 測(cè)試技術(shù)學(xué)報(bào),2000,14(1):60-65
[17] 王高等.CMOS圖像傳感器發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 光機(jī)電信息,2001,17(3):14-17
[18] 王高等.CMOS圖像傳感器發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 國際新型傳感器技術(shù)應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇, 2002:109-112
[19] 程開富等.CMOS圖像傳感器的最新進(jìn)展及其應(yīng)用[J].光機(jī)電信息,2003, 12(1):16-25
Review Of Current Developments And Trends Of CMOS Image Sensors
Abstract: With the development of VLSI, CMOS image sensor has developed increasingly. The CMOS APS technology allows the integration of timing and control electronics, imaging detector arrays, signal chains and analog-to-digital conversion on a single integrated circuit. The background is briefly described. The tradeoffs between CMOS and CCD are analyzed. The current developments and trends of CMOS image sensors are reviewed.
Keywords: CMOS image sensors; dynamic range; sensitivity
作者簡介:
王高, 山西省太原市華北工學(xué)院儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室講師,研究方向?yàn)榧す馄?、光纖、 CCD及CMOS圖像傳感器等,發(fā)表學(xué)術(shù)論文多篇。
通訊地址:山西省太原市華北工學(xué)院儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 郵編: 030051
電話: 0351-3942611 E-mail:gxx@nxust.edu.cn
無論是CCD還是CMOS,它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段,CCD/CMOS感光元件的核心都是一個(gè)感光二極管(photodiode),該二極管在接受光線照射之后能夠產(chǎn)生輸出電流,而電流的強(qiáng)度則與光照的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)。但在周邊組成上,CCD的感光元件與CMOS的感光元件并不相同,前者的感光元件除了感光二極管之外,包括一個(gè)用于控制相鄰電荷的存儲(chǔ)單元,感光二極管占據(jù)了絕大多數(shù)面積—換一種說法就是,CCD感光元件中的有效感光面積較大,在同等條件下可接收到較強(qiáng)的光信號(hào),對(duì)應(yīng)的輸出電信號(hào)也更明晰。而CMOS感光元件的構(gòu)成就比較復(fù)雜,除處于核心地位的感光二極管之外,它還包括放大器與模數(shù)轉(zhuǎn)換電路,每個(gè)像點(diǎn)的構(gòu)成為一個(gè)感光二極管和三顆晶體管,而感光二極管占據(jù)的面積只是整個(gè)元件的一小部分,造成CMOS傳感器的開口率遠(yuǎn)低于CCD(開口率:有效感光區(qū)域與整個(gè)感光元件的面積比值);這樣在接受同等光照及元件大小相同的情況下,CMOS感光元件所能捕捉到的光信號(hào)就明顯小于CCD元件,靈敏度較低;體現(xiàn)在輸出結(jié)果上,就是CMOS傳感器捕捉到的圖像內(nèi)容不如CCD傳感器來得豐富,圖像細(xì)節(jié)丟失情況嚴(yán)重且噪聲明顯,這也是早期CMOS傳感器只能用于低端場合的一大原因。CMOS開口率低造成的另一個(gè)麻煩在于,它的像素點(diǎn)密度無法做到媲美CCD的地步,因?yàn)殡S著密度的提高,感光元件的比重面積將因此縮小,而CMOS開口率太低,有效感光區(qū)域小得可憐,圖像細(xì)節(jié)丟失情況會(huì)愈為嚴(yán)重。因此在傳感器尺寸相同的前提下,CCD的像素規(guī)??偸歉哂谕瑫r(shí)期的CMOS傳感器,這也是CMOS長期以來都未能進(jìn)入主流數(shù)碼相機(jī)市場的重要原因之一。
本站僅提供存儲(chǔ)服務(wù),所有內(nèi)容均由用戶發(fā)布,如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容,請(qǐng)
點(diǎn)擊舉報(bào)。