為了保證產(chǎn)品的耐久性能，也就是產(chǎn)品使用的壽命。IGBT模塊廠家在產(chǎn)品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產(chǎn)品的長期耐久性能。一般常見的測試的項目如下圖所示。
這出自一份英飛凌關(guān)于3300V IHV-B封裝產(chǎn)品系列的產(chǎn)品認(rèn)證報告Product Qualification Report。這個報告里的測試項目，除了ESD靜電測試以外，都是和IGBT模塊的壽命相關(guān)的。壽命相關(guān)測試可以分成兩部分，一部分是對于芯片本身壽命的考核，另一部分是對機(jī)械連接的考核。其中對芯片本身壽命的考核有如下內(nèi)容：
l HTRB，高溫高壓反偏測試，測試IGBT芯片的耐高壓的可靠性。
l HTGB，高溫門極應(yīng)力測試，測試IGBT芯片門極的耐壓可靠性。
l H3TRB，高溫高濕反偏測試，測試IGBT芯片在高濕環(huán)境的可靠性。
l HV-H3TRB，高壓高溫高濕反偏測試，這是H3TRB的更嚴(yán)苛版本，因為高濕的本質(zhì)是對芯片鈍化層的一種腐蝕，而高壓會加速這種腐蝕。
上述幾條主要是評估芯片的耐久性，在這些測試條件下，只要時間足夠長，芯片肯定會壞的。
對于IGBT模塊來說，模塊外部是外殼和金屬端子，內(nèi)部不僅有芯片，還有綁定線，還有絕緣陶瓷襯底，還有焊接層，我們統(tǒng)稱機(jī)械連接。那如何評估這些機(jī)械連接的耐久性呢？這就是功率循環(huán)，熱循環(huán)，熱沖擊，以及振動測試。
IGBT模塊壽命評估現(xiàn)狀
l 目前技術(shù)水平下可實施的IGBT模塊壽命評估方法——金屬、焊接、機(jī)械疲勞的相關(guān)壽命
l 目前公認(rèn)最能反映出金屬疲勞實際壽命的算法——雨流計數(shù)法
l 目前公認(rèn)的最有效的IGBT模塊壽命評估的實驗依據(jù)——功率、熱循環(huán)測試能力
由于芯片的可靠性以及抗振動能力沒有一個業(yè)界公認(rèn)的計算方式去把加速實驗結(jié)果和實際的使用壽命聯(lián)系起來，而功率、熱循環(huán)目前是有比較準(zhǔn)確的方法去折算實際使用壽命的，并且對于目前的大部分常見的封裝工藝來說，功率、熱循環(huán)還是實際使用壽命中的短板，所以有必要研究功率循環(huán)，以計算出更準(zhǔn)確的實際壽命能力。
什么是功率循環(huán)？
功率循環(huán)power cycling顧名思義就是讓芯片間歇流過電流產(chǎn)生間隙發(fā)熱功率，從而使芯片溫度波動。因為熱源為芯片自身發(fā)熱，所以一般稱之為主動加熱。功率循環(huán)的周期一般為3~5秒。
功率循環(huán)對IGBT模塊損傷的機(jī)理，主要是銅綁定線熱膨脹系數(shù)與芯片表面鋁層熱膨脹系數(shù)不同，芯片熱膨脹系數(shù)與DBC板不同導(dǎo)致的。損傷的結(jié)果主要是綁定線脫落，斷裂，芯片焊層分離。
芯片焊層的分離有兩種模式，含鉛的焊層一般從邊緣向中心逐漸分離，而錫銀材料的焊層一般從中心向邊緣逐漸分離。
如何進(jìn)行功率、熱循環(huán)測試？
IEC60749-34描述了可靠性實驗電路連接的方法，而IEC60747-9描述了IGBT參數(shù)的測試方法，以及失效標(biāo)準(zhǔn)的判據(jù)。對于功率循環(huán)，如果器件的導(dǎo)通壓降超過初始值的5%或者熱阻超過初始值的20%，即判定為失效。
然而，業(yè)界的功率循環(huán)測試加載的方法并不統(tǒng)一，Impact of Test control Strategy on Power Cycling Lifetime這篇文章中論述了四處加載方法：
l 恒定的導(dǎo)通及關(guān)斷時間：在測試過程中始終保持恒定的導(dǎo)通時間，關(guān)斷時間及導(dǎo)通電流。
l 恒定的殼溫Tc波動：逐漸關(guān)少導(dǎo)通的時間維持恒定的殼溫波動
l 恒定的功率Pv：在測試過程中，通過減少導(dǎo)通電流來始終保持恒定的功率
l 恒定的結(jié)溫Tj波動：在測試過程中，減少導(dǎo)通的時間來維持恒定的結(jié)溫波動
下圖是測試結(jié)果，可以看出四種測試方法對用一種IGBT模塊的測試結(jié)果相差非常大。采用恒定的導(dǎo)通及關(guān)斷時間，器件在35000個cycle時就失效了，第二種恒定殼溫的方法在45000 cycle時失效，第三種恒功率法大概在不到70000個cycle時失效，而使用第四種恒結(jié)溫法的話，器件壽命可以達(dá)到95000個cycle以上。這個結(jié)果也是比較好理解的，我們知道，功率循環(huán)的次數(shù)與結(jié)溫波動量密切相關(guān)，隨著功率循環(huán)的進(jìn)行，被測器件導(dǎo)通壓降及熱阻勢必上升，如果導(dǎo)通時間及導(dǎo)通電流恒定的話，那么在老化后期器件結(jié)溫會高于測試初期，器件所能承受的功率循環(huán)次數(shù)必然會少于恒定結(jié)溫法。
下面是開米尼茨大學(xué)的研究結(jié)果，他們列舉了6種測試方法，其中恒功率法分為通過調(diào)節(jié)導(dǎo)通電流和調(diào)節(jié)門極電壓兩種方法，而恒定結(jié)溫法分為通過調(diào)節(jié)導(dǎo)通電流、門極電壓和導(dǎo)通時間三種方法。其中最嚴(yán)苛的恒定脈沖法，與最寬松的減小導(dǎo)通時間維持恒定結(jié)溫法的結(jié)果相差在百分之五十以上。
這是一個非常巨大的差距，所以在判斷一款功率器件PC壽命的時候，不光要看功率循環(huán)的cycle值是多少，更要看測試的方法是什么。英飛凌模塊的功率循環(huán)曲線是依照最嚴(yán)苛的條件，也就是恒定導(dǎo)通時間和導(dǎo)通電流的方法來測試的，保證產(chǎn)品具有最高等級的可靠性。
西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū)，是陜西省政府重點支持的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體封裝、測試設(shè)備。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機(jī)車半導(dǎo)體測試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導(dǎo)，在此基礎(chǔ)上相繼推出全自動大功率IGBT參數(shù)測試系統(tǒng)，分立器件綜合測試儀，功率器件圖示系統(tǒng)，晶體管圖示儀，MOS動靜態(tài)測試測試儀，晶閘管測試儀，雪崩、浪涌、高溫阻斷、高溫反偏HTRB、柵電荷測試，IGBT模塊功率循環(huán)測試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于科研院所、新能源、電力電子、交通、船舶制造、高校等諸多領(lǐng)域。公司產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設(shè)備等。聯(lián)系15249202572。
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