太陽(yáng)能光伏：
1普通名詞
光伏效應(yīng)光伏 物體由于吸收光子而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象是當(dāng)物體受光照時(shí)物體內(nèi)部的電荷分布狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電流的一種效應(yīng)全稱光生伏特效應(yīng)
光伏發(fā)電 利用光生伏特效應(yīng)將太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)化為電能的發(fā)電技術(shù)
瓦（W千瓦（KW兆瓦（MW吉瓦（GW太瓦（TW 電的功率單位為衡量光伏電站發(fā)電能力的單位1TW=1,000GW=1,000,000MW=1,000,000,000kW=1,000,000,000,000W
千瓦時(shí)（KWh 電的能量單位1KWh 的電能即為一度電
裝機(jī)容量 太陽(yáng)能電池經(jīng)過串聯(lián)后進(jìn)行封裝保護(hù)可形成大面積的太陽(yáng)電池組件再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電裝置這種裝置的發(fā)電功率就是裝機(jī)容量
容配比 光伏電站的組件容量與逆變器容量之比
平均轉(zhuǎn)換效率 平均光電轉(zhuǎn)換效率是衡量太陽(yáng)能電池將光能轉(zhuǎn)換為電能能力的指標(biāo)
平準(zhǔn)化度電成本 Levelized Cost of Energy縮寫為 LCOE簡(jiǎn)稱度電成本是對(duì)項(xiàng)目生命周期內(nèi)的成本和發(fā)電量先進(jìn)行平準(zhǔn)化再計(jì)算得到的發(fā)電成本即生命周期內(nèi)的成本現(xiàn)值/生命周期內(nèi)發(fā)電量現(xiàn)值
平價(jià)上網(wǎng) 包括發(fā)電側(cè)平價(jià)與用戶側(cè)平價(jià)兩層含義：發(fā)電側(cè)平價(jià)是指光伏發(fā)電即使按照傳統(tǒng)能源的上網(wǎng)電價(jià)收購(gòu)（無補(bǔ)貼也能實(shí)現(xiàn)合理利潤(rùn)；用戶側(cè)平價(jià)是指光伏發(fā)電成本低于售電價(jià)格根據(jù)用戶類型及其購(gòu)電成本的不同又可分為工商業(yè)居民用戶側(cè)平價(jià)
標(biāo)桿上網(wǎng)電價(jià)上網(wǎng)電價(jià) 國(guó)家發(fā)改委制定電網(wǎng)公司對(duì)集中式光伏電站并網(wǎng)發(fā)電電量的收購(gòu)價(jià)格（含稅
發(fā)電設(shè)備利用小時(shí)數(shù) 指發(fā)電機(jī)組在1年內(nèi)平均的滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)間；在每年的8760h中發(fā)電設(shè)備利用小時(shí)數(shù)2019年全國(guó)光伏發(fā)電利用小時(shí)數(shù)1169小時(shí)2019年全國(guó)風(fēng)電平均利用小時(shí)數(shù)2082小時(shí)2019年全國(guó)水電設(shè)備平均利用小時(shí)為3726小時(shí)2019年全國(guó)發(fā)電設(shè)備累計(jì)平均利用小時(shí)為3825小時(shí)
半導(dǎo)體材料 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料
'雙反'調(diào)查 對(duì)來自某一個(gè)（或幾個(gè)國(guó)家或地區(qū)的同一種產(chǎn)品同時(shí)進(jìn)行反傾銷和反補(bǔ)貼調(diào)查
光伏發(fā)電領(lǐng)跑者計(jì)劃 是指中國(guó)國(guó)家能源局 2015 年起實(shí)施的光伏扶持計(jì)劃旨在促進(jìn)光伏發(fā)電技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)業(yè)升級(jí)和成本下降領(lǐng)跑者先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品要求達(dá)到規(guī)定的技術(shù)先進(jìn)性指標(biāo)等要求
高純晶硅 純度大于 99.9999999%的高純度單質(zhì)金屬硅
2多晶硅硅料
多晶硅硅料 單質(zhì)硅的一種形態(tài)由具有一定尺寸的硅晶粒組成的多晶體各個(gè)硅晶粒的晶體取向不同多晶硅是光伏電池與半導(dǎo)體設(shè)備的主要原材料根據(jù)純度多晶硅可分為太陽(yáng)能級(jí)（光伏級(jí)多晶硅與電子級(jí)（半導(dǎo)體級(jí)多晶硅
單晶硅片用料 用于單晶硅拉制并生產(chǎn)單晶硅片的多晶硅產(chǎn)品多晶硅片用料 指 指用于多晶鑄錠并生產(chǎn)多晶硅片的多晶硅產(chǎn)品
工業(yè)硅粉硅粉 由硅礦石和碳質(zhì)還原劑在礦熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品主要成分為硅元素是多晶硅的主要原材料
三氯氫硅TCS 由工業(yè)硅粉與氯化氫合成而得的硅化合物能在 1100℃左右被氫還原為單質(zhì)硅是本公司生產(chǎn)多晶硅的中間品化學(xué)式為 SiHCl3英文名稱 Trichlorosilane
四氯化硅TETSTC 三氯氫硅合成及三氯氫硅還原等多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物可以通過冷氫化工藝制備三氯氫硅化學(xué)式為 SiCl4英文名稱 SiliconTetrachloride
二氯二氫硅DCS 三氯氫硅合成冷氫化三氯氫硅還原等多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物可以與四氯化硅在催化劑條件下反歧化生成三氯化硅化學(xué)式為SiH2Cl2英文名稱 DichIorosilane
西門子法 西門子法為生產(chǎn)多晶硅的原有工藝是以氫氣還原高純度三氯氫硅在加熱到 1,100℃左右的硅芯上沉積多晶硅的生產(chǎn)工藝
改良西門子法 目前國(guó)內(nèi)外最主流及最成熟的多晶硅生產(chǎn)工藝又稱“閉環(huán)西門子法”其主要是在西門子法基礎(chǔ)上增加了尾氣回收和四氯化硅氫化工藝實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)過程的閉路循環(huán)避免副產(chǎn)品直接排放污染環(huán)境并實(shí)現(xiàn)原料的循環(huán)利用有效降低了生產(chǎn)成本
硅烷流化床法 多晶硅生產(chǎn)工藝之一硅烷流化床法是以四氯化硅氫氣氯化氫和工業(yè)硅為原料在流化床內(nèi)（沸騰床高溫高壓下生成三氯氫硅將三氯氫硅再進(jìn)一步歧化加氫反應(yīng)生成二氯二氫硅繼而生成硅烷氣制得的硅烷氣通入加有小顆粒硅粉的流化床反應(yīng)爐內(nèi)進(jìn)行連續(xù)熱分解反應(yīng)生成粒狀多晶硅產(chǎn)品
3硅片環(huán)節(jié)
碳基復(fù)合材料 以碳纖維為增強(qiáng)體以碳或碳化硅等為基體以化學(xué)氣相沉積或液相浸漬等工藝形成的復(fù)合材料主要包括碳/碳復(fù)合材料產(chǎn)品（碳纖維增強(qiáng)基體碳碳/陶復(fù)合材料產(chǎn)品（碳纖維增強(qiáng)碳化硅等
碳纖維 含碳量在 90%以上的高強(qiáng)度高模量纖維用腈綸瀝青或粘膠纖維等原料經(jīng)高溫氧化碳化而成
碳纖維預(yù)制體（氈體毛坯 以碳纖維為原材料通過碳纖維成網(wǎng)織布布網(wǎng)復(fù)合成型等技術(shù)所形成的坯體
碳/碳（C/C復(fù)合材料 由碳纖維及其織物增強(qiáng)碳基體所形成的高性能復(fù)合材料
等靜壓石墨 采用等靜壓成型方式生產(chǎn)的石墨材料
粉末冶金材料 用粉末冶金工藝制得的多孔半致密或全致密材料（包括制品
CVD化學(xué)氣相沉積 指利用氣態(tài)物質(zhì)在高溫下通過化學(xué)反應(yīng)生產(chǎn)固態(tài)物質(zhì)的一種工藝方法是制備碳基復(fù)合材料的一種方法
直拉法（CZ 法 直拉法又稱為切克勞斯基法它是 1918 年由切克勞斯基（Czochralski建立起來的一種晶體生長(zhǎng)方法簡(jiǎn)稱 CZ 法CZ 法的特點(diǎn)是在一個(gè)直筒型的熱系統(tǒng)中用石墨電阻加熱將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅料熔化然后將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶再反轉(zhuǎn)坩堝籽晶緩慢向上提升經(jīng)過引晶放肩轉(zhuǎn)肩等徑生長(zhǎng)收尾等過程生長(zhǎng)出單晶棒
區(qū)熔法（FZ 法 垂直懸浮區(qū)熔法將一段棒狀材料（如半導(dǎo)體材料金屬等垂直固定用高頻感應(yīng)等方法加熱使其一段區(qū)域熔化熔體靠表面張力支撐懸浮豎直移動(dòng)棒狀材料或加熱器使熔區(qū)移動(dòng)在熔區(qū)移動(dòng)過的區(qū)域材料冷卻而生成為單晶體通過區(qū)熔法可以獲取高純度的單晶
單晶硅生長(zhǎng)爐 在真空狀態(tài)和惰性氣體保護(hù)下通過石墨電阻加熱器將多晶硅原料加熱熔
化然后用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備也稱'單晶生長(zhǎng)爐'或'單晶爐'
區(qū)熔爐 一種高純單晶硅棒生長(zhǎng)設(shè)備用于懸浮區(qū)熔提純與單晶生長(zhǎng)也稱'硅單晶區(qū)熔爐''區(qū)熔硅單晶爐'
單晶硅棒 多晶硅原料熔化后用直拉法或區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出的棒狀單晶硅
半導(dǎo)體單晶硅滾圓機(jī) 將半導(dǎo)體硅單晶棒進(jìn)行外圓槽口磨削最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半導(dǎo)體硅圓棒的全自動(dòng)一體加工設(shè)備
半導(dǎo)體單晶硅截?cái)鄼C(jī) 將半導(dǎo)體硅單晶棒進(jìn)行頭尾截?cái)?h-char unicode="3001">體部截?cái)?h-char unicode="3001">截取樣片最終截?cái)喑鰸M足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半導(dǎo)體硅段料的全自動(dòng)一體加工設(shè)備
硅片拋光機(jī) 使用拋光液通過化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械作用對(duì)硅片表面進(jìn)行拋光的設(shè)備
硅片研磨機(jī) 使用磨料對(duì)切割后的硅片表面進(jìn)行機(jī)械式研磨的設(shè)備
單晶硅棒切磨復(fù)合加工一體機(jī) 將硅單晶棒切除四周邊皮再將弧面和平面進(jìn)行磨削最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自動(dòng)切磨一體復(fù)合加工設(shè)備
晶棒單線截?cái)鄼C(jī) 采用金剛線切割的方式對(duì)硅單晶棒進(jìn)行截?cái)嗉庸?h-char unicode="ff0c">可用于切頭尾切樣片
以及等長(zhǎng)批量截?cái)嗲懈畹募庸ぴO(shè)備
多晶硅鑄錠爐 在真空狀態(tài)和惰性氣體保護(hù)下通過石墨電阻加熱器將多晶硅原料加熱熔化然后在受嚴(yán)格控制的溫度場(chǎng)中用定向凝固法生長(zhǎng)多晶硅錠的設(shè)備
多晶硅錠 多晶硅原料熔化后用定向凝固法生長(zhǎng)出的錠狀多晶硅
多晶硅塊倒角磨面加工一體機(jī) 將多晶硅塊四面粗精磨削處理最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自動(dòng)倒角磨面一體復(fù)合加工設(shè)備
多晶硅塊研磨一體機(jī) 將多晶硅塊的平面進(jìn)行磨削對(duì)硅塊的 4 個(gè)棱角進(jìn)行倒角的復(fù)合加工設(shè)備
硅塊單線截?cái)鄼C(jī) 采用金剛線切割技術(shù)進(jìn)行多晶硅塊去頭尾同時(shí)實(shí)現(xiàn) 40 塊多晶硅塊的全自動(dòng)加工設(shè)備
金剛線 將金剛石顆粒嵌入到鋼線表面的切割線
金剛石線切割晶片技術(shù) 將金剛石采用粘接和電鍍的方式固定在直拉鋼線上對(duì)硅棒進(jìn)行高速往返切削得到硅片的一種切割技術(shù)
硅片 由單晶硅棒或多晶硅錠切割形成的方片或八角形片
晶硅 晶體硅材料包括多晶硅單晶硅等
單晶硅 整塊硅晶體中的硅原子按周期性排列的單晶硅是用高純度多晶硅為原料主要通過直拉法和區(qū)熔法取得
P 型單晶硅 在單晶硅生產(chǎn)過程中摻入三價(jià)元素（如硼使之取代硅原子形成P 型單晶硅
N 型單晶硅 在單晶硅生產(chǎn)過程中摻入五價(jià)元素（如磷使之取代硅原子形成N 型單晶硅
拋光片 對(duì)切割研磨后再經(jīng)過拋光獲得的硅片
4電池片環(huán)節(jié)
電池電池片太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能電池片光伏電池光伏電池片 利用'光生伏特效應(yīng)'原理將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件
晶硅太陽(yáng)能電池 制作太陽(yáng)能電池主要是以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電轉(zhuǎn)換反應(yīng)根據(jù)所用材料的不同分為單晶太陽(yáng)能電池和多晶太陽(yáng)能電池
單晶太陽(yáng)能電池 建立在高質(zhì)量單晶硅材料和加工處理工藝基礎(chǔ)上一般采用表面織構(gòu)化發(fā)射區(qū)鈍化分區(qū)摻雜等技術(shù)開發(fā)的一種太陽(yáng)能電池
多晶太陽(yáng)能電池 采用太陽(yáng)能級(jí)多晶硅材料制造工藝與單晶硅太陽(yáng)電池類似目前
的光電轉(zhuǎn)換效率和生產(chǎn)成本都略低于單晶太陽(yáng)能電池
電池轉(zhuǎn)換效率 太陽(yáng)能電池的最佳輸出功率與投射到其表面上的太陽(yáng)輻射功率之比
SE 技術(shù) Selective Emitter 技術(shù)選擇性發(fā)射極技術(shù)一種提高電池效率的技術(shù)通過在電極接觸區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜光吸收區(qū)域進(jìn)行低濃度摻雜從而影響電池的導(dǎo)電特性電池分重?cái)U(kuò)區(qū)和輕擴(kuò)區(qū)重?cái)U(kuò)區(qū)用于和金屬電極接觸輕擴(kuò)區(qū)通過提升方塊電阻降低表面復(fù)合速率
鈍化接觸技術(shù) 在電池背面制備一層超薄的可隧穿的氧化層和一層高摻雜的多晶硅薄層二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)為硅片的背面提供了良好的表面鈍化從而實(shí)現(xiàn)背面整面鈍化且無需開孔接觸可大幅提升 N 型電池轉(zhuǎn)換效率是 N 型電池重要發(fā)展方向
MWT Metal Wrap Through金屬繞通背接觸電池一種應(yīng)用于晶體硅的高效太陽(yáng)能電池技術(shù)
PVD Physical Vapor Deposition 物理氣相沉積
CVD Chemical Vapor Deposition 化學(xué)汽相沉積
LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition 低壓化學(xué)汽相沉積
光伏絲網(wǎng)印刷 制作太陽(yáng)能電池工藝段中的一種方法例如使?jié){料（銀漿鋁漿等通過刮刀壓力透過已制好柵線圖形的網(wǎng)膜漏印在已擴(kuò)散過的硅片上形成上下電極加熱后使?jié){料中有機(jī)溶劑揮發(fā)形成太陽(yáng)能電池電極
EL 測(cè)試 用于檢測(cè)太陽(yáng)能電池組件的缺陷隱裂碎片虛焊斷柵以及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異?，F(xiàn)象
PL 測(cè)試 電池片 PL 測(cè)試是通過光致發(fā)光無損檢測(cè)方式相對(duì)于 EL 的差別在于非接觸檢測(cè)避免對(duì)電池片造成損傷可以更簡(jiǎn)單地自動(dòng)化集成無需對(duì)電池片進(jìn)行復(fù)雜定位占地面積更小
PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition該法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離在局部形成等離子體等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)在基片上沉積出所期望的薄膜從而形成介質(zhì)層含 P型或 N 型摻雜物的薄層進(jìn)而形成 PN 結(jié)或形成降低表面反射率和提高硅片表面鈍化效果的薄層提升電池的光電轉(zhuǎn)換率PECVD 按實(shí)現(xiàn)方式不同分為管式 PECVD板式（線式流程
PECVD 和集群式 PECVD
管式 PECVD 上下料機(jī) 用于鍍膜工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動(dòng)化設(shè)備主要作用是將花籃中的硅片自動(dòng)轉(zhuǎn)載至石墨舟中傳送至管式 PECVD 生產(chǎn)工藝設(shè)備中完成后將石墨舟中的硅片自動(dòng)裝卸至花籃并輸出
板式 PECVD 上下料機(jī) 用于鍍膜工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動(dòng)化設(shè)備主要作用是將花籃中的硅片自動(dòng)轉(zhuǎn)載至石墨框中傳送至板式 PECVD 生產(chǎn)工藝設(shè)備中完成后將石墨框中的硅片自動(dòng)裝卸至花籃并輸出
擴(kuò)散自動(dòng)化上下料機(jī) 用于擴(kuò)散工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動(dòng)化設(shè)備主要作用是將花籃中的硅片自動(dòng)轉(zhuǎn)載至石英舟校準(zhǔn)定位后自動(dòng)送至擴(kuò)散爐內(nèi)進(jìn)行制結(jié)制結(jié)完成后將石英舟中的硅片自動(dòng)轉(zhuǎn)載至花籃并輸出
刻蝕上下料機(jī) 用于刻蝕工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動(dòng)化設(shè)備主要作用是將花籃中的硅片自動(dòng)排放到上料端在下料端再把制程后的硅片自動(dòng)轉(zhuǎn)載至花籃并輸出裝盒機(jī) 用于槽式制絨工藝裝花籃主要作用是將堆疊的硅片自動(dòng)轉(zhuǎn)載至花籃并輸出
BSF 一種太陽(yáng)能電池技術(shù)即鋁背場(chǎng)電池（Aluminium Back Surface Field為改善太陽(yáng)能電池的效率在 p-n 結(jié)制備完成后在硅片的背光面沉積一層鋁膜制備 P+層稱為鋁背場(chǎng)電池
PERC 電池 PassivatedEmitterandRearContact鈍化發(fā)射極及背接觸電池一種高效晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)針對(duì)全鋁背場(chǎng)太陽(yáng)能電池在背表面的載流子復(fù)合較高的缺點(diǎn)使用 AL2O3 膜或 SiNX 在背表面構(gòu)成鈍化層并激光開膜使得鋁背場(chǎng)與硅襯底實(shí)現(xiàn)有效的接觸
PERT Passivated Emitter and Rear Totally-Diffused Cell鈍化發(fā)射極背面全擴(kuò)散電池一種高效晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)這種電池系在 PERC太陽(yáng)能電池基礎(chǔ)上為了能夠進(jìn)一步降低 PERC 電池背面金半接觸電阻對(duì)背面接觸區(qū)域進(jìn)行背面全擴(kuò)散
TOPCON Tunnel Oxide Passivated Contact遂穿氧化鈍化電池技術(shù)是在電池片的背面上覆蓋一層厚度在 2nm 以下的超薄氧化硅層再覆蓋一層摻雜的多晶硅或非晶硅層然后經(jīng)過高溫退火形成高摻雜多晶硅(n+)背接觸的一項(xiàng)光伏電池技術(shù)該技術(shù)可改善電池表面鈍化又可促進(jìn)多數(shù)載流子傳輸進(jìn)而提升電池的開路電壓和填充因子進(jìn)一步提升光電轉(zhuǎn)換效率
HJT 電池技術(shù) Hetero-junctionwithIntrinsicThin-layer本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池一種高效晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽(yáng)能電池即在 P 型氫化非晶硅和 N 型氫化非晶硅與 N 型硅襯底之間增加一層非摻雜（本征氫化非晶硅薄膜HJT 電池具有工藝溫度低鈍化效果好開路電壓高雙面發(fā)電等優(yōu)點(diǎn)
IBC Interdigitated Back Contact全背電極接觸晶硅光伏電池是將太陽(yáng)能電池的正負(fù)兩極金屬接觸均移到電池片背面的技術(shù)
HBC 交叉指式背接觸異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池正面無電極遮擋采用 a-Si∶H 作為雙面鈍化層同時(shí)具備 IBC 電池和 SHJ（異質(zhì)結(jié)電池的優(yōu)勢(shì)能夠取得更高的開路電壓和更高的短路電流從而達(dá)到更高的光電轉(zhuǎn)換效率
疊層電池 不同類型疊加結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池
166mm 電池 采用硅片 M6（硅片長(zhǎng)度 166mm最大對(duì)角線長(zhǎng)度 223mm生產(chǎn)的電池比常規(guī)M2（硅片長(zhǎng)度156.75mm最大對(duì)角線長(zhǎng)度211mm的面積大 12.21%因此也稱 166 大尺寸電池166 大面積電池
182mm 電池 采用硅片 M10（硅片長(zhǎng)度 182mm生產(chǎn)的電池
210mm 電池 采用硅片 M12（硅片長(zhǎng)度 210mm最大對(duì)角線長(zhǎng)度 295mm生產(chǎn)的電池比常規(guī)M2（硅片長(zhǎng)度156.75mm最大對(duì)角線長(zhǎng)度211mm的面積大 80.5%因此也稱 210mm 大尺寸電或 210mm 大面積電池
太陽(yáng)能電池量產(chǎn)平均轉(zhuǎn)換效率 太陽(yáng)能電池受到光照時(shí)的最大輸出功率與照射到電池上的入射光功率的比值是衡量電池質(zhì)量和技術(shù)水平的重要參數(shù)轉(zhuǎn)換效率越高電池片的單片輸出功率越高單片功率越高的電池可以封裝形成功率越高的光伏組件
太陽(yáng)能電池研發(fā)最高轉(zhuǎn)換效率 研發(fā)實(shí)驗(yàn)中所測(cè)試電池的最高平均轉(zhuǎn)換效率
黑硅 通過刻蝕技術(shù)一方面在常規(guī)硅片表面制絨的基礎(chǔ)上形成納米級(jí)的小絨面從而加大陷光的效果降低反射率增加對(duì)光的吸收；另一方面通過二次刻蝕來降低表面復(fù)合從而將常規(guī)電池的轉(zhuǎn)換效率絕對(duì)值提高
薄膜電池 通過濺射法PECVD 法LPCVD 法等方法在玻璃金屬或其他材料上制成特殊薄膜經(jīng)過不同的電池工藝過程制得單結(jié)和疊層太陽(yáng)能電池的一種太陽(yáng)能電池
5組件環(huán)節(jié)
組件 太陽(yáng)能組件由若干個(gè)太陽(yáng)能發(fā)電單元通過串并聯(lián)的方式組成其功能是將功率較小的太陽(yáng)能發(fā)電單元放大成為可以單獨(dú)使用的光電器件通常功率較大可以單獨(dú)使用為各類蓄電池充電也可以多片串聯(lián)或并聯(lián)使用作為離網(wǎng)或并網(wǎng)太陽(yáng)能供電系統(tǒng)的發(fā)電單元
疊瓦組件 將相鄰太陽(yáng)能電池部分區(qū)域重疊互聯(lián)以消除片間距的一種組件技術(shù)
疊瓦 疊瓦組件系電池片切分后相互之間通過導(dǎo)電膠粘接交疊密排設(shè)計(jì)的先進(jìn)技術(shù)組件其獨(dú)特的電池片連接技術(shù)取代了傳統(tǒng)技術(shù)中的焊帶從而增加電池片有效發(fā)電面積
雙面組件 對(duì)入射到正面以及背面的光線都能加以利用產(chǎn)生光能的組件稱為雙面組件通常雙面組件的背面功率是正面功率的 60%以上
雙面雙玻組件 采用雙面電池雙面玻璃制備的組件
超薄雙玻組件 由蓋板為≤2.0mm 的光伏減反玻璃背板為≤2.0mm 的超薄鍍膜玻璃中間復(fù)合太陽(yáng)能電池片組成復(fù)合層電池片之間由導(dǎo)線串并聯(lián)匯集引線端的整體構(gòu)件該組件不需要加裝鋁邊框固定
多柵電池組件 電池采用多主柵設(shè)計(jì)的組件電池主柵數(shù)量多于 5 根比如 6 主柵9 主柵12 主柵均可稱為多主柵
疊加半片技術(shù) 在原有的技術(shù)基礎(chǔ)上疊加了電池切半的半片技術(shù)
半片疊焊 將已經(jīng)切半的相鄰太陽(yáng)能電池部分區(qū)域重疊互聯(lián)以消除片間距的一種組件技術(shù)
多主柵 電池主柵數(shù)量多于 5 根比如 6 主柵9 主柵12 主柵均可稱為多主柵
拼片 一種新的組件技術(shù)采用柔性焊帶減少電池的片間距
長(zhǎng)期光致衰減（LID 長(zhǎng)時(shí)間光照導(dǎo)致的電池組件輸出功率的衰減
疊片機(jī) 將單晶硅多晶硅太陽(yáng)能電池片使用激光切割技術(shù)按照柵線設(shè)計(jì)要求進(jìn)行劃片通過印刷方式進(jìn)行導(dǎo)電膠涂覆 再經(jīng)過裂片機(jī)構(gòu)將電池片分裂最后采用疊瓦方式將分裂的電池條串聯(lián)焊接的全自動(dòng)化設(shè)備
疊瓦焊接機(jī) 疊瓦焊接機(jī)將整片電池片切成合理小片后每小片之間疊加排布用柔性導(dǎo)電膠無焊帶互連大大減小組件線損減小組件熱斑影響更充分利用組件面積大幅提高組件輸出功率
6其它
逆變器 太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備之一其作用是將太陽(yáng)能電池發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)化為符合電網(wǎng)電能質(zhì)量要求的交流電
組串式逆變器 組串式逆變器是對(duì)幾組（一般為 1-4 組光伏組串進(jìn)行單獨(dú)的最大功率峰值跟蹤再經(jīng)過逆變以后并入交流電網(wǎng)一臺(tái)組串式逆變器可以有多個(gè)最大功率峰值跟蹤模塊功率相對(duì)較小主要應(yīng)用于分布式發(fā)電系統(tǒng)在集中式光伏發(fā)電系統(tǒng)亦可應(yīng)用
EVA 膠膜 由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物通過擠出流涎壓延等熔融加工方法獲得的膠膜
白色 EVA 用于電池片背面封裝的白色 EVA 膠膜增加反射率
POEPOE 膠膜 由聚烯烴彈性體通過擠出流涎壓延等熔融加工方法獲得的膠膜廣泛用于光伏組件的封裝
KPF 型背板 采用氟皮膜技術(shù)生產(chǎn)的復(fù)合型光伏電池背板中間為 PET 基膜外側(cè)通過膠粘劑與 PVDF 薄膜復(fù)合在一起內(nèi)側(cè)直接與氟皮膜相粘合
背膜/背板 一種位于太陽(yáng)能電池組件背面的光伏封裝材料在戶外環(huán)境下保護(hù)太陽(yáng)能電池組件抵抗光濕熱等環(huán)境影響因素對(duì) EVA 膠膜電池片等材料的侵蝕起耐候絕緣保護(hù)作用由于其位于光伏組件背面的最外層直接與外部環(huán)境大面積接觸需具備優(yōu)異的耐高低溫耐紫外輻照耐環(huán)境老化和水汽阻隔電氣絕緣等性能以滿足太陽(yáng)能電池組件 25
年的使用壽命
光伏導(dǎo)電銀漿導(dǎo)電銀漿 晶體硅太陽(yáng)能電池電極用銀漿料是制備太陽(yáng)能電池金屬電極的關(guān)鍵材料
光伏支架 光伏發(fā)電系統(tǒng)中用來安裝支撐固定光伏組件的特殊功能支架包括跟蹤支架和固定支架
跟蹤支架跟蹤系統(tǒng)跟蹤器 通過機(jī)械電氣電子電路及程序的聯(lián)合作用實(shí)時(shí)調(diào)整太陽(yáng)能組件平面相對(duì)入射太陽(yáng)光的空間角度以增加太陽(yáng)光投射到太陽(yáng)能組件上的輻照量而提高發(fā)電量的設(shè)備
BIPV Building Integrated Photostatic即光伏建筑一體化與建筑物同時(shí)設(shè)計(jì)同時(shí)施工同時(shí)安裝并與建筑物形成完美結(jié)合的光伏發(fā)電系統(tǒng)既發(fā)揮建筑材料的功能（如遮風(fēng)擋雨隔熱等又發(fā)揮發(fā)電的功能使建筑物成為綠色建筑
逆跟蹤 支架運(yùn)行方向與太陽(yáng)運(yùn)行方向逆向的一種跟蹤算法非跟蹤太陽(yáng)最佳輻射角旨在當(dāng)太陽(yáng)高度角比較低時(shí)避免太陽(yáng)能電池板的遮擋問題
耐候性 材料對(duì)如光照冷熱風(fēng)雨細(xì)菌等造成的綜合破壞的耐受能力
漁光互補(bǔ) 漁業(yè)養(yǎng)殖與光伏發(fā)電相結(jié)合在魚塘上方架設(shè)光伏板陣列光伏板下方水域可進(jìn)行魚蝦養(yǎng)殖為養(yǎng)魚提供良好的遮擋作用形成“上可發(fā)電下可養(yǎng)魚”的發(fā)電新模式
農(nóng)光互補(bǔ) 農(nóng)業(yè)種植與光伏發(fā)電相結(jié)合棚內(nèi)種植蔬菜棚外光伏發(fā)電所發(fā)電量除供棚內(nèi)使用外余量并入公共電網(wǎng)
地面電站集中式電站 主要利用大規(guī)模太陽(yáng)能電池陣列把太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)換成直流電通過交流配電柜升壓變壓器和高壓開關(guān)裝置接入電網(wǎng)向電網(wǎng)輸送光伏電量由電網(wǎng)統(tǒng)一調(diào)配向用戶供電
分布式電站 指位于用戶附近所發(fā)電能就地利用以低于 35 千伏或更低電壓等級(jí)接入電網(wǎng)且單個(gè)并網(wǎng)點(diǎn)總裝機(jī)容量一般不超過 6MW 的光伏發(fā)電項(xiàng)目
智能光伏電站 通過全數(shù)字化電站讓電站更簡(jiǎn)單自動(dòng)化運(yùn)維等創(chuàng)新理念將數(shù)字信息技術(shù)與光伏技術(shù)進(jìn)行跨界融合最終實(shí)現(xiàn)電站持有和運(yùn)營(yíng)客戶的價(jià)值最大化
光伏發(fā)電系統(tǒng)集成商 光伏發(fā)電系統(tǒng)集成商是指通過采購(gòu)光伏組件并網(wǎng)逆變器支架等其它電氣設(shè)備等部件后匹配集成后銷售給下游安裝商或投資業(yè)主
安裝商 安裝商的下游客戶主要是投資業(yè)主從其承攬業(yè)務(wù)并完成光伏系統(tǒng)的安裝其所需光伏系統(tǒng)設(shè)備可以從光伏系統(tǒng)集成商購(gòu)買也可以直接從各部件制造商分別購(gòu)買后組裝成完整系統(tǒng)
IT Feed-in-Tariff是一種太陽(yáng)能發(fā)電上網(wǎng)電價(jià)補(bǔ)貼政策
201 法案 美國(guó) 1974 年貿(mào)易法 201-204 節(jié)對(duì)進(jìn)口至美國(guó)的產(chǎn)品進(jìn)行全球保障措施調(diào)查對(duì)產(chǎn)品進(jìn)口增加是否對(duì)美國(guó)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)造成嚴(yán)重?fù)p害或嚴(yán)重?fù)p害威脅作出裁定
MES 系統(tǒng) 制造執(zhí)行系統(tǒng)（Manufacturing Execution System通過信息傳遞對(duì)從訂單下達(dá)到產(chǎn)品完成的整個(gè)生產(chǎn)過程進(jìn)行優(yōu)化管理的系統(tǒng)
特高壓 交流 1,000kV直流±800kV 及以上電壓等級(jí)
超高壓 交流 330kV～750kV直流±400kV～660kV 電壓等級(jí)
高壓 110kV～220kV 電壓等級(jí)
中低壓 110kV 電壓等級(jí)以下
kV（千伏 電壓的計(jì)量單位
kVA（千伏安 變壓器容量的計(jì)量單位
EPC 設(shè)計(jì)-采購(gòu)-施工一種由承包商承擔(dān)整個(gè)項(xiàng)目設(shè)計(jì)采購(gòu)建設(shè)及調(diào)試過程的承包模式
光伏裝機(jī)容量 太陽(yáng)能電池經(jīng)過串聯(lián)后進(jìn)行封裝保護(hù)可形成大面積的太陽(yáng)能電池組件再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電裝置這種裝置的發(fā)電功率就是裝機(jī)容量
PID Potential-induced degradation（潛在電勢(shì)誘導(dǎo)衰減即組件長(zhǎng)期在高電壓作用下使得玻璃封裝材料之間存在漏電流大量電荷聚集在電池片表面使得電池表面的鈍化效果惡化導(dǎo)致 FFJscVoc 降低使得組件性能低于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)
作者：松西龍木
來源：雪球
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