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二維層狀金屬碲化物/碲化銅CuxTe薄膜/多層/雙層/單層碲化鎵(GaTe)材料

鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片

發(fā)現(xiàn)在磁場下體積大幅膨脹的新材料——有望作為致動器新材料

關于BGO晶體，閃爍晶體鍺酸鉍(BGO),即Bi4Ge3O12的結構與應用

0.05％，0.05％的Nd:SrTiO3的單晶基片

半導體材料砷化鎵/鍺拓撲相研究獲重要突破

吉林大學《Acta Materialia》：可編程超表面領域取得重要進展！

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單軸壓力下Ge2X2Te5(X=Sb, Bi)薄膜拓撲相變的第一性原理研究

不同摻鍺濃度對多晶硅性能的影響

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研究表明：原子的范德華異質結構，能同時表現(xiàn)出鐵磁性和鐵電性！

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